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晶体管
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PMZ370UNEYL

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
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库存：50,519(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.61472
614.72
10,000
¥0.41471
4147.1
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
900 mA
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
770 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
770 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.02 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Trench MOSFET
宽度
0.62 mm
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1580 mS
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
参考库存:2811
J211
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥22.5887
10:¥18.1365
100:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:45245
FF1200R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 1200A DUAL
1:¥7,771.7558
参考库存:45250
0910-60M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:45255
PMN27UPH
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
24,000:¥0.88366
45,000:¥0.85315
99,000:¥0.81473
参考库存:45260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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