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晶体管
STGW80H65DFB参考图片

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STGW80H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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库存:9,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HI-VOLT FAST SW
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥15.5262
250:¥14.7578
参考库存:1114
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A
1:¥4.068
10:¥2.6894
100:¥1.5029
1,000:¥1.09836
3,000:¥0.94468
参考库存:26411
晶体管
MOSFET PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥8.6106
10:¥7.3902
100:¥5.6839
500:¥5.0172
1,500:¥3.5143
9,000:查看
参考库存:1973
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥1,780.4619
5:¥1,737.5784
10:¥1,694.4802
25:¥1,670.7276
参考库存:1415
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:3917
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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