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晶体管
STQ1HN60K3-AP参考图片

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STQ1HN60K3-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET
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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.7234
47.234
100
¥3.0397
303.97
1,000
¥2.4408
2440.8
2,000
¥2.0566
4113.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
6.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Ammo Pack
系列
STQ1HN60K3-AP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
220 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD18NF03L
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:33277
RJK0355DSP-00#J0
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Speed Series MOSFET, 30V, SO-8, PB Free
5,000:¥2.5538
参考库存:58016
MV2N4391
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥306.5916
250:¥286.1499
参考库存:58021
2SA2154CT-GR(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA -50V
暂无价格
参考库存:58026
FDMS86202ET120
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 120V 7.2 MOHM PQFN56
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.2101
3,000:¥15.2098
6,000:查看
参考库存:23294

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    50万现货SKU

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