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晶体管
SBC857BLT1G参考图片

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SBC857BLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
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库存:133,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7967
17.967
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.51528
515.28
3,000
¥0.40002
1200.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 300 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC857BL
直流电流增益 hFE 最大值
475 at - 2 mA, - 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at - 2 mA, - 5 V
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's 600 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO247 advanced isolation package.
1:¥71.1561
10:¥64.3196
25:¥61.3138
100:¥53.2456
参考库存:2431
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:9458
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:8810
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
1:¥59.1668
10:¥53.4829
25:¥51.0195
100:¥44.2621
参考库存:6242
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
2,500:¥4.3166
参考库存:13809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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