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晶体管
IPB049NE7N3 G参考图片

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IPB049NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:8,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB049NE7N3GATMA1 IPB49NE7N3GXT SP000641752
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21187
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥27.8884
10:¥24.973
100:¥22.7469
250:¥20.5208
参考库存:10766
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.5258
10:¥6.1811
2,000:¥6.1811
参考库存:16903
晶体管
MOSFET 1.8V P-Channel
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:83765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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