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晶体管
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STWA40N90K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
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数量单价合计
1
¥94.5132
94.5132
10
¥86.9083
869.083
25
¥83.2923
2082.3075
100
¥73.3822
7338.22
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STWA40N90K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84.5 ns
典型接通延迟时间
30.4 ns
单位重量
6.180 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥445.5929
参考库存:53530
2N4233
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥298.2183
2:¥290.1501
5:¥282.0819
10:¥274.0137
参考库存:53535
ES6U41T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
8,000:¥0.9379
24,000:查看
参考库存:53540
APTGT400SK120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,285.9174
5:¥1,254.2548
10:¥1,224.0612
25:¥1,179.5731
参考库存:53545
BC848AW RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:53550

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    50万现货SKU

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