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晶体管
FF450R12KT4参考图片

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FF450R12KT4

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库存:3,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,217.4507
1217.4507
5
¥1,188.1724
5940.862
10
¥1,158.6681
11586.681
25
¥1,142.3848
28559.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KT4HOSA1 SP000370613
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
1:¥44.7932
10:¥38.1149
100:¥33.0412
250:¥31.3462
参考库存:6437
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -500mA/-50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:9289
晶体管
MOSFET PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.26
1,000:¥1.7515
1,500:¥1.4916
参考库存:3941
晶体管
MOSFET Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
4,000:¥1.11418
参考库存:39548
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:14060
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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