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晶体管
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FQI8N60CTU

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数量单价合计
1
¥14.8256
14.8256
10
¥12.5995
125.995
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.2772
7277.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQI8N60C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
64.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
零件号别名
FQI8N60CTU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKZ75N65NH5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥61.3929
10:¥55.5508
25:¥52.9405
100:¥45.9458
参考库存:5744
SIHP22N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.5046
10:¥31.7304
100:¥26.2047
250:¥23.278
500:¥21.4361
参考库存:9546
BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:9423
IPW60R099P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥41.8778
10:¥35.5724
100:¥30.8942
250:¥29.2783
500:¥26.2838
参考库存:24883
DMC2053UVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.1527
10:¥2.3617
100:¥1.2882
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82942
9,000:¥0.77631
参考库存:47750

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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