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晶体管
STGPL6NC60D参考图片

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STGPL6NC60D

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
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库存:7,672(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.4919
3745.95
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGPL6NC60D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
42 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥19.3682
10:¥16.1364
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:10666
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
参考库存:38238
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
参考库存:3535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1526
10,000:¥1.1413
参考库存:81387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:4619
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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