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晶体管
IKA08N65ET6XKSA1参考图片

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IKA08N65ET6XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0738
3536.9
1,000
¥5.8647
5864.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
33 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IGBT6
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
11 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA08N65ET6 SP001701332
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS8870
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8478
1,000:¥5.4127
2,500:¥5.4127
参考库存:17518
CSD25481F4T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.1978
250:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:27245
DF120R12W2H3_B27
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥443.9092
5:¥433.92
10:¥417.0152
25:¥403.5682
参考库存:4102
DTC143TKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:46559
BC557BTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.59212
1,000:¥0.4068
2,000:¥0.31527
参考库存:47601

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    50万现货SKU

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