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晶体管
FS150R12KT4_B9参考图片

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FS150R12KT4_B9

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库存:4,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,586.5878
1586.5878
5
¥1,548.4051
7742.0255
10
¥1,509.9851
15099.851
25
¥1,488.775
37219.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
750 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KT4B9BOSA1 SP000862502
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3676
800:¥6.102
参考库存:6422
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥22.1254
10:¥18.7467
100:¥14.9838
500:¥13.1419
参考库存:4474
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:15661
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.7854
参考库存:29773
晶体管
MOSFET 250V 8.8A N-Chan
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2433
参考库存:5085
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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