PDTA115TM,315原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	100 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-1006-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.47 mm
长度	1.02 mm
宽度	0.62 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTA115TM T/R

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTA143XMFHAT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 2,500:¥0.23052 8,000:¥0.20001	参考库存:43048
DTA144EUBHZGTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL 47kO Input Resist	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:36600
SIHA4N80E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK	1:¥16.4415 10:¥13.673 100:¥10.5994 500:¥9.2999 1,000:¥7.6501	参考库存:8087
STW35N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package	1:¥39.4144 10:¥33.5045 100:¥29.041 250:¥27.5042	参考库存:5489
SIHB4N80E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)	1:¥18.4416 10:¥15.2889 100:¥11.8311 500:¥10.3734 1,000:¥8.6106	参考库存:8086