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晶体管
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STGIPQ3HD60-HL

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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1
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62.0822
10
¥56.1723
561.723
25
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1339.05
100
¥46.4882
4648.82
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
N2DIP-L-26
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGIPQ3HD60-HL
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
360
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2024UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.76049
20,000:¥0.69947
50,000:¥0.66896
100,000:¥0.64523
参考库存:50767
MG1275H-XN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A IGBT
80:¥918.012
参考库存:50772
2N7000-G P002
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
2,000:¥1.6837
参考库存:50777
A2T20H330W24SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,118.4853
参考库存:50782
IRF9520STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Chan 100V 6.8 Amp
800:¥7.8422
2,400:¥7.2659
4,800:¥6.9947
9,600:¥6.7235
参考库存:50787

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