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晶体管
BSS126 H6906参考图片

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BSS126 H6906

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库存:19,745(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7855
37.855
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.9549
1954.9
3,000
¥1.9549
5864.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS126
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS126H6906XTSA1 BSS126H696XT SP000705716
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
1:¥1,632.0816
5:¥1,595.7408
10:¥1,563.1516
25:¥1,540.0318
参考库存:3085
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:5807
晶体管
MOSFET 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:111619
晶体管
MOSFET New LF version of CSD18502KCS
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1981
参考库存:11606
晶体管
IGBT 模块 IFPS MODULES
1:¥128.0177
10:¥117.7234
25:¥112.7966
100:¥99.3496
参考库存:4133
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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