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晶体管
FGA50N100BNTDTU参考图片

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FGA50N100BNTDTU

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库存:3,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.5046
35.5046
10
¥30.1936
301.936
100
¥26.1256
2612.56
250
¥24.8148
6203.7
500
¥22.2836
11141.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA50N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4397
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.4307
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:5004
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
参考库存:5441
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
暂无价格
参考库存:31398
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 40V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.5934
100:¥2.1922
1,000:¥1.695
2,500:¥1.4464
参考库存:5053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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