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晶体管
DMG6898LSDQ-13参考图片

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DMG6898LSDQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss
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库存:22,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
26 nC, 26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.28 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6898
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12.33 ns, 12.33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.49 ns, 12.49 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.89 ns, 35.89 ns
典型接通延迟时间
11.67 ns, 11.67 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥14.0572
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥7.91
2,500:¥6.1133
5,000:查看
参考库存:2798
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 41 mo FET
1:¥4.5313
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6272
参考库存:2865
晶体管
IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel
1:¥12.5995
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.4919
参考库存:7672
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:169309
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP NPN 40V 20MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:7701
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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