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晶体管
PD57018-E参考图片

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PD57018-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:2,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
1,000:¥2.5199
3,000:¥2.2939
参考库存:15077
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120V 50MA
1:¥2.7685
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:40229
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:9636
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥65.314
10:¥59.0086
25:¥56.2514
100:¥48.8725
参考库存:3368
晶体管
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
2,500:¥1.6498
参考库存:26160
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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