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晶体管
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PD57018-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT50H60T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥473.0293
5:¥458.7348
10:¥445.2878
25:¥417.4672
参考库存:5119
STGY50NC60WD
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 65A N-Channel
1:¥101.6548
10:¥93.4397
25:¥89.5977
100:¥78.9192
参考库存:9271
IKD06N60RF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:24683
IHW40N120R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥41.9569
10:¥35.6515
100:¥30.8942
250:¥29.3574
500:¥26.2838
参考库存:5075
SUD50P10-43L-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V 37A P-Channel
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:10942

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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