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晶体管
PD57018-E参考图片

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PD57018-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:2,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:54343
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.54579
20,000:查看
参考库存:77280
晶体管
MOSFET 150V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
800:¥6.1359
参考库存:12317
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
450:¥33.2672
900:查看
参考库存:6979
晶体管
MOSFET FET 150V 12.4 MOHM PQFN56
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
3,000:¥13.8312
6,000:查看
参考库存:92761
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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