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晶体管
STW18NM80参考图片

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STW18NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V MDMesh
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库存:6,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.4882
46.4882
10
¥42.036
420.36
25
¥40.0359
1000.8975
100
¥34.804
3480.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
295 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW18NM80
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥36.1148
100:¥34.352
250:¥30.1258
500:¥29.1992
参考库存:50956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥90.5921
250:¥82.603
500:¥77.2242
1,000:¥70.851
参考库存:50961
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,077.7601
参考库存:50966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.9245
200:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:50971
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥399.4098
5:¥377.7477
10:¥373.4424
25:¥345.3958
参考库存:50976
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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