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晶体管
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SMPJ201

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 40 V
Vgs=0时的漏-源电流
1 mA
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
0.5 mS
闸/源截止电压
- 1.5 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:51022
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
5,000:¥2.4634
参考库存:133317
STU5N70M6-S
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
3,000:¥3.8872
参考库存:51029
DMN3270UVT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
10,000:¥0.88366
参考库存:51034
AGR26125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:51039

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