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晶体管
RGTH50TS65DGC11参考图片

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RGTH50TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
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库存:4,413(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5886
205.886
100
¥17.8992
1789.92
250
¥16.9839
4245.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH50TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH50TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
参考库存:27985
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
1:¥13.447
10:¥11.0627
100:¥8.5315
500:¥7.2885
参考库存:9705
晶体管
MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
2,500:¥4.8364
5,000:¥4.5991
参考库存:27992
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
8,000:¥0.66896
参考库存:44772
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.6785
10:¥8.9157
25:¥7.458
100:¥6.7574
2,000:¥4.3618
参考库存:27999
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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