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晶体管
IRFSL7534PBF参考图片

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IRFSL7534PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
195 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
279 nC
Pd-功率耗散
294 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
498 S
下降时间
93 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
134 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
118 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SP001568208
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC858C
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51601
JANTX2N3902
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥440.3723
5:¥416.5519
10:¥411.7833
25:¥380.9004
参考库存:51606
NVMFS6B03NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T5 100V LL S08FL
5,000:¥21.5152
参考库存:51611
2N6339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥430.53
2:¥422.62
5:¥417.8514
10:¥405.1728
参考库存:51616
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.9894
50:¥12.4526
100:¥11.2209
参考库存:51621

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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