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晶体管
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STW10N105K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥38.646
38.646
10
¥32.883
328.83
100
¥28.5099
2850.99
250
¥27.0522
6763.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.05 kV
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW10N105K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
21.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
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暂无价格
参考库存:55982
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250:¥254.4195
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JAN2N5682
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

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