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晶体管
IRF6620TRPBF参考图片

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IRF6620TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
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库存：18,659(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.1811
618.11
500
¥5.4579
2728.95
4,800
¥3.8307
18387.36
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-MX
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.45 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001524564
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
晶体管
MOSFET 1200V 45A Standard
1:¥303.5971
5:¥288.5342
10:¥280.8502
25:¥273.008
50:¥258.0242
参考库存:1486
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥21.5152
10:¥19.21
25:¥17.289
50:¥16.5206
2,500:¥10.2152
参考库存:6628
RSD220N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 60V 22A MOSFET
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.6727
500:¥6.78
2,500:¥4.746
10,000:查看
参考库存:13865
BDP 948 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:2902
2N697
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥147.4537
10:¥134.0067
25:¥123.9384
50:¥117.2601
参考库存:1634

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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