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晶体管
CSD17581Q3A参考图片

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CSD17581Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N CH MOSFET
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库存:63,538(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2997
52.997
100
¥3.4239
342.39
1,000
¥2.7459
2745.9
2,500
¥2.486
6215
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17581Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
78 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT
1:¥62.1613
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:1590
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:94227
晶体管
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC
1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
4,000:¥6.9721
参考库存:19504
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K 47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:4446
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,285.6914
5:¥1,254.7972
10:¥1,223.5979
25:¥1,206.4671
参考库存:1328
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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