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晶体管
BSP129 H6327参考图片

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BSP129 H6327

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库存:15,846(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.0171
301.71
1,000
¥2.4182
2418.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP129
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSP129H6327XTSA1 SP001058580
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:51346
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:16358
晶体管
MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1868
500:¥6.3506
3,000:¥4.4522
9,000:查看
参考库存:16255
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥1.8645
参考库存:16362
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:151104
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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