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晶体管
BSP126,115参考图片

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BSP126,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET TAPE-7 MOSFET
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库存:64,164(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.8984
1898.4
2,000
¥1.6159
3231.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
375 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSP126 T/R
单位重量
250 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
100:¥310.5918
250:¥304.1282
参考库存:38257
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:38262
晶体管
MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:3657
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
暂无价格
参考库存:38269
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:38274
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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