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晶体管
MJD122-1参考图片

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MJD122-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector
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库存:20,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-252-2
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD122
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
7.2 mm
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.2047
1,000:¥19.8202
2,000:查看
参考库存:5544
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:69486
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:32658
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:72800
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:43090
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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