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晶体管
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PTVA084007NF-V1-R5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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500
¥768.40
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
增益
23.6 dB
输出功率
370 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-4-2
封装
Reel
工作频率
755 MHz to 805 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2022UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
10,000:¥1.00683
参考库存:48293
BC847QASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans
暂无价格
参考库存:48298
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:407961
DMN601DWKQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:21963
NVMFS5C646NLWFAFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.537
1,500:¥3.8759
9,000:查看
参考库存:142965

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    50万现货SKU

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