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晶体管
2SA2154CT-GR,L3F参考图片

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2SA2154CT-GR,L3F

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
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库存:63,187(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7176
17.176
100
¥0.71416
71.416
1,000
¥0.49155
491.55
10,000
¥0.31527
3152.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CST-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 180 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA2154
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.38 mm
长度
1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.6 mm
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's 600 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO247 advanced isolation package.
1:¥71.1561
10:¥64.3196
25:¥61.3138
100:¥53.2456
参考库存:2431
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:9458
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:8810
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
1:¥59.1668
10:¥53.4829
25:¥51.0195
100:¥44.2621
参考库存:6242
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
2,500:¥4.3166
参考库存:13809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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