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晶体管
AUIRGB4062D1参考图片

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AUIRGB4062D1

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive 600V Ultra TO-220
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库存:4,420(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.2567
49.2567
10
¥41.8778
418.778
100
¥36.273
3627.3
250
¥34.4198
8604.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.57 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
59 A
Pd-功率耗散
246 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
59 A
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001512244
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:38284
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:48786
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.7307
参考库存:26613
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4490DY-TR
1:¥15.2098
10:¥12.5995
2,500:¥12.5995
参考库存:43665
晶体管
MOSFET 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -2.3A
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,500:¥1.6159
参考库存:31392
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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