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晶体管
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ZXT12N50DXTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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4,000
¥5.1867
20746.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
135 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
132 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT12
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
封装
Reel
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
870 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHA6N80E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥19.3682
10:¥16.0573
100:¥12.4526
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:7143
IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3165
2,500:¥2.3165
参考库存:35610
IRL100HS121
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
4,000:¥3.0962
参考库存:45207
SUM70040E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥23.6622
10:¥19.5942
100:¥16.1364
250:¥15.594
800:¥15.594
参考库存:15094
CSD85302L
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.3504
1,000:¥1.8193
3,000:¥1.5481
参考库存:71966

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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