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晶体管
TP0610K-T1-GE3参考图片

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TP0610K-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:33,357(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7798
27.798
100
¥2.0679
206.79
500
¥1.695
847.5
1,000
¥1.3108
1310.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
185 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
TP0
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
TP0610K-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP45V 500mA
1:¥0.99892
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:402117
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:6274
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
参考库存:18976
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥90.4452
10:¥82.2188
25:¥75.9925
50:¥71.9245
参考库存:4618
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21450
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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