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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	2.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	140
最大工作频率	260 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 200 mA
峰值直流集电极电流	- 200 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB743XE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 200 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB743XE

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RTF020P02TL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3	1:¥6.0681 10:¥5.0285 100:¥3.2431 1,000:¥2.599 3,000:¥2.1922	参考库存:50219
QS6M3TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6	1:¥3.9211 10:¥3.2544 100:¥1.9775 1,000:¥1.5255 3,000:¥1.5029	参考库存:50224
BCR141SH6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR	1:¥2.6894 10:¥1.7628 100:¥0.75258 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:50229
SD2943W	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz	1:¥1,051.7814 5:¥1,031.1137 10:¥983.0887 25:¥962.421	参考库存:7052
IPW60R125CPFKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP	1:¥48.8725 10:¥41.4936 100:¥35.9566 250:¥34.1147 500:¥30.6569	参考库存:50236