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晶体管
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MRF085HR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF085H/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥868.9813
217245.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494128
单位重量
0 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMMBT3904TT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC75 GP XSTR NPN 60V
1:¥3.0736
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:97307
SIHG22N50D-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥37.5725
10:¥31.1202
100:¥25.6623
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:4774
DXT2013P5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:27746
FDN358P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
3,000:¥0.89157
参考库存:105453
FQB33N10TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0738
500:¥6.2489
800:¥4.9381
参考库存:10395

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    50万现货SKU

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