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晶体管
BSS84WQ-7-F参考图片

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BSS84WQ-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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数量单价合计
1
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2.8476
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
130 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSS84
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847C-G
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIGNAL TRANSISTOR
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:41763
FDP032N08-F102
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET PT3 MV 75V 3.2mohm for Delta
1,000:¥17.3681
2,000:¥16.5206
5,000:¥15.9104
参考库存:41768
ZTX857
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:41773
APTGT200DU120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,004.5248
参考库存:41778
TSM8N80CI C0G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet
4,000:¥10.8367
5,000:¥10.4525
参考库存:41783

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