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晶体管
2N7002A-7参考图片

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2N7002A-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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库存:236,511(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:28981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.8419
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
2,000:¥0.27685
参考库存:50478
晶体管
MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:43290
晶体管
达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP
1:¥6.8365
10:¥5.6839
100:¥3.6612
1,000:¥2.938
参考库存:7452
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:15884
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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