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晶体管
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FDMS0306AS

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库存:20,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8591
68.591
100
¥5.2658
526.58
500
¥4.6556
2327.8
3,000
¥3.2544
9763.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench SyncFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS0306AS
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
168 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
68.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:51145
晶体管
IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A
10:¥937.7531
30:¥918.0798
100:¥872.134
参考库存:51150
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:398445
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥841.7822
参考库存:51157
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:51162
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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