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晶体管
IRFB4019PBF参考图片

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IRFB4019PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg
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库存:13,396(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9947
699.47
500
¥6.1811
3090.55
1,000
¥4.8816
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
7.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001572370
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
100:¥310.5918
250:¥304.1282
参考库存:38257
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:38262
晶体管
MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:3657
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
暂无价格
参考库存:38269
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:38274
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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