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晶体管
PSMN018-100PSFQ参考图片

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PSMN018-100PSFQ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET PSMN018-100PSF SOT78/SIL3P
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库存:26,578(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥3.8307
19153.5
10,000
¥3.6838
36838
25,000
¥3.5708
89270
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
53 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
111 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
12.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.1 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.3 ns
典型接通延迟时间
10.2 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
1,000:¥5.085
5,000:¥5.085
参考库存:27407
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:42751
晶体管
MOSFET 30V N-CH MOSFET
3,000:¥1.11418
参考库存:42756
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
参考库存:42761
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:2429
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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