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晶体管
RGTH80TS65GC11参考图片

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RGTH80TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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库存:6,223(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH80TS65
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.3108
10:¥1.12209
100:¥0.40002
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:168651
晶体管
MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:11058
晶体管
MOSFET N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm
1:¥12.4526
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:4680
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
1:¥9.9892
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7856
4,800:¥4.0454
9,600:查看
参考库存:27437
晶体管
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.3391
参考库存:27939
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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