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晶体管
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RGTH80TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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库存：6,223(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH80TS65
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP 50 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:51880
BC848B RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51885
BCP 51-16 H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:51890
SMPU305
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 50mA 350mW 2.8mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:51895
IRLR110TR
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF
2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
参考库存:51900

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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