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晶体管
TK10A80W,S4X参考图片

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TK10A80W,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
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数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥17.6732
176.732
100
¥16.1364
1613.64
250
¥14.5205
3630.125
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK10A80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
65 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIE802DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
3,000:¥13.5261
6,000:¥13.0628
参考库存:37317
MCU20P10-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET -100V, -12A, P Chann el Mosfet
30,000:¥2.8815
参考库存:37322
F20S60C3-7072
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1,000:¥35.2673
2,000:¥34.4198
参考库存:37327
STAC3932F
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:37332
SI7720DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 12A 52W 12.5mohm @ 10V
1:¥15.2098
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:37337

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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