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晶体管
STD3NK60Z-1参考图片

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STD3NK60Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.5596
55.596
100
¥3.5821
358.21
1,000
¥2.8702
2870.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK60Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1214-80M
MACOM
晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,623.9278
2:¥2,580.129
5:¥2,537.7992
10:¥2,496.8367
25:¥2,406.8548
参考库存:45108
DMN62D1LFDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 2N7002 Family
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:45113
2N4402
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
2,500:¥28.589
参考库存:45118
IPLK70R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥2.5312
10,000:¥2.4408
25,000:¥2.3391
参考库存:45123
NGTD15R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/50A CC15 FAST RECT
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:45128

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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