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晶体管
IPI60R280C6参考图片

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IPI60R280C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6
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库存:3,715(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 nS
零件号别名
IPI60R280C6XKSA1 IPI6R28C6XK SP000687554
单位重量
2.387 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SURF MT BIASED RES XSTR
1:¥3.2996
10:¥2.2826
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.68365
参考库存:77817
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:14854
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:3031
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 800mA HFE/250
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:54738
晶体管
MOSFET 16A,12V,P Channel Mosfet
1:¥4.8364
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1639
参考库存:17230
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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