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晶体管
RZQ045P01TR参考图片

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RZQ045P01TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P Chan-12V+/-4.5A 1.5V Drive
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.955
39.55
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0453
2045.3
3,000
¥1.7289
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457T-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RZQ045P01
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
390 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
RZQ045P01
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥478.103
参考库存:40427
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
暂无价格
参考库存:40432
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:40437
晶体管
MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
3,000:¥6.6783
6,000:¥6.4297
9,000:¥6.1811
参考库存:40442
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥918.8482
参考库存:40447
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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