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晶体管
R5011ANX参考图片

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R5011ANX

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
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库存:50,647(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1303
3565.15
1,000
¥5.6274
5627.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
59 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
R5011ANX
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
R5011ANX
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-3PF package
1:¥65.4722
10:¥59.1668
25:¥56.4774
100:¥49.0194
参考库存:2995
晶体管
MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
10,000:¥0.56048
20,000:查看
参考库存:85127
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
参考库存:11019
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
1:¥4.5313
10:¥3.7968
100:¥2.4521
1,000:¥1.9549
1,500:¥1.6498
参考库存:8801
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:33468
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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