MT3S16U(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S16
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	5 V
发射极 - 基极电压 VEBO	2 V
集电极连续电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	10 V
直流电流增益 hFE 最大值	140
工作频率	4 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	UHF Band Oscillator and Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	100 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSZ0901NSI	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS	1:¥9.1417 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 5,000:¥3.7064 10,000:查看	参考库存:111236
RS3E135BNGZETB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET	1:¥6.8365 10:¥5.7969 100:¥4.4522 500:¥3.9324 1,000:¥3.1075 2,500:¥2.7459	参考库存:44745
BC 846S H6433	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR	1:¥2.6103 10:¥1.7402 100:¥0.72998 1,000:¥0.49946 10,000:¥0.32996 20,000:查看	参考库存:51093
IRL630STRLPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp	1:¥20.2835 10:¥16.9048 100:¥13.0628 500:¥11.4469 800:¥9.5259	参考库存:5245
MMBT2222ALP4-7B	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K	1:¥2.2261 10:¥1.5594 100:¥0.65314 1,000:¥0.44522 10,000:¥0.29945 20,000:查看	参考库存:176177