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晶体管
STGW15M120DF3参考图片

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STGW15M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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库存:3,610(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.1777
51.1777
10
¥46.2622
462.622
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥5.989
10:¥5.2658
25:¥5.1302
50:¥4.9607
1,000:¥2.3391
参考库存:12037
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
250:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:6789
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥76.7609
10:¥69.382
25:¥66.1615
100:¥57.404
参考库存:7936
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
1:¥20.905
10:¥17.3681
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:4393
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
5,000:¥4.3618
10,000:查看
参考库存:72240
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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