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晶体管
IPP039N04L G参考图片

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IPP039N04L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:18,404(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.4 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP039N04LGXKSA1 IPP39N4LGXK SP000680782
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
参考库存:5330
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2772
500:¥6.4297
2,500:¥4.4974
10,000:查看
参考库存:17032
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:9409
晶体管
MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm logic level MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2264
1,000:¥6.8591
1,500:¥6.8591
参考库存:42336
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:9838
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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