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晶体管
STP315N10F7参考图片

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STP315N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:6,524(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥34.8831
348.831
100
¥30.2727
3027.27
250
¥28.6568
7164.2
500
¥25.7414
12870.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
315 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP315N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
108 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
148 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:18687
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥8.7575
10:¥7.1642
100:¥5.4918
参考库存:15029
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
800:¥6.5314
参考库存:7846
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:88713
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.9775
参考库存:61375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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