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晶体管
FP75R12KE3参考图片

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FP75R12KE3

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库存:2,030(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,168.194
1168.194
5
¥1,145.3002
5726.501
10
¥1,091.8964
10918.964
25
¥1,068.9235
26723.0875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
105 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R12KE3BOSA1 SP000100415
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:227164
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Double TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:3101
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,865.7543
5:¥1,820.882
10:¥1,775.6142
25:¥1,750.7203
参考库存:2228
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:11625
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13952
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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